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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -5,5A; Idm: -18A; 1W; SOT363T


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RF6C055BCTCR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RF6C055BCTCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363T
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -5,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 25,8mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 15,2nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -18A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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