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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -20V; -10A; Idm: -36A; 2W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-RF4C100BCTCR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RF4C100BCTCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: DFN2020-8S
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 15,6mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 2W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 23,5nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -36A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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