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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 42A; Idm: 126A; 495W; TO247


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-R6042JNZ4C13
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     R6042JNZ4C13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 42A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,104Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 495W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 0,1µC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 126A
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