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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolare; -20V; -1,5A; Idm: -6A


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-QS6U22TR
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QS6U22TR
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: TSMT6
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -1,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,43Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET + Schottky
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 3nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -6A
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