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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 100A; Idm: 475A; 269W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 100A; Idm: 475A; 269W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 100A; Idm: 475A; 269W
N. Articolo:
     5068-PSMN7R0-100PS.127
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN7R0-100PS,127
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB;SOT78
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 15mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 269W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 125nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 475A
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