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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 120A; Idm: 673A; 338W
N. Articolo:
     5068-PSMN4R3-100PS.127
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN4R3-100PS,127
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: THT
Corpo: TO220AB;SOT78
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 120A
Resistenza nello stato di conduzione: 10,4mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 338W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 170nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 673A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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