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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PSMN3R5-30YL.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN3R5-30YL,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: SOT669;PowerSO8;LFPAK56
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 100A
Resistenza nello stato di conduzione: 3,37mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 74W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 19nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 447A
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