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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     5068-PSMN013-30MLC.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PSMN013-30MLC,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: LFPAK33;SOT1210
Tensione drenaggio-fonte: 30V
Corrente di drenaggio: 39A
Resistenza nello stato di conduzione: 11,8mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 38W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 8nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 157A
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