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Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolare; -20V; -4,5A; Idm: -30A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PMPB19XP.115
Produttore:
     Nexperia
N. Art. Produtt.:
     PMPB19XP,115
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Produttore: NEXPERIA
Montaggio: SMD
Corpo: DFN2020MD-6;SOT1220
Tensione drenaggio-fonte: -20V
Corrente di drenaggio: -4,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 33mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Carico della porta: 43,2nC
Tecnologia: Trench
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: -30A
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