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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 20V; 1A; Idm: 4A; 350mW; SOT363


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJT7800-R1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJT7800_R1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Corpo: SOT363
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 1A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 0,35W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 1,6nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: 4A
Riepilogo condizioni1
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