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Transistor: N-MOSFET x2; unipolare; 20V; 5,2A; Idm: 20,8A; 1,25W


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-PJS6816-S1
Produttore:
     PanJit Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     PJS6816_S1_00001
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: PanJit Semiconductor
Montaggio: SMD
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: 5,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 85mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET x2
Potenza dissipata: 1,25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 7nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±12V
Corrente di drain pulsata: 20,8A
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