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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 280V; 8A; Idm: 32A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 280V; 8A; Idm: 32A
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 280V; 8A; Idm: 32A
N. Articolo:
     5068-P8F28HP2-5600
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P8F28HP2-5600
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: THT
Corpo: FTO-220AG (SC91)
Tensione drenaggio-fonte: 280V
Corrente di drenaggio: 8A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 52,5W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: sciolto
Carico della porta: 9,8nC
Tecnologia: Hi-PotMOS2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 32A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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