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Diodo: TVS; 600W; 110V; 4,1A; bidirezionale; ±5%; SMB; bobina,nastro


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Informazioni sul prodotto
Diodo: TVS; 600W; 110V; 4,1A; bidirezionale; ±5%; SMB; bobina,nastro
Diodo: TVS; 600W; 110V; 4,1A; bidirezionale; ±5%; SMB; bobina,nastro
N. Articolo:
     5068-P6SMB110CAHR5G
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     P6SMB110CAHR5G
EAN/GTIN:
     n.d.
Produttore: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaggio: SMD
Corpo: SMB
Tolleranza: ±5%
Tensione invertita max.: 94V
Struttura del semiconduttore: bidirezionale
Corrente nell'impulso max.: 4,1A
Tensione di rottura: 110V
Corrente di dispersione: 2µA
Genere di confezione: nastro;bobina
Tipo di diodi: TVS
Potenza dissipata per impulso max.: 0,6kW
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