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Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 600V; 30A; Idm: 120A


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 600V; 30A; Idm: 120A
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolare; 600V; 30A; Idm: 120A
N. Articolo:
     5068-P30W60HP2V-5100
Produttore:
     SHINDENGEN
N. Art. Produtt.:
     P30W60HP2V-5100
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: SHINDENGEN
Montaggio: THT
Corpo: MTO3PV (TO247AD)
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 30A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,23Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 310W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 70nC
Tecnologia: Hi-PotMOS2
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 120A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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