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Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolare; 20V; -2,3A; Idm: -13A


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTHD3101FT1G
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTHD3101FT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: ONSEMI
Montaggio: SMD
Corpo: ChipFET
Tensione drenaggio-fonte: 20V
Corrente di drenaggio: -2,3A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET + Schottky
Potenza dissipata: 2,1W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Carico della porta: 7,4nC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±8V
Corrente di drain pulsata: -13A
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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