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Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P
Transistor: IGBT; 1,2kV; 25A; 200W; TO3P
N. Articolo:
     5068-NTE3323
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE3323
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistori
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO3P
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 25A
Corrente del collettore nel impulso: 50A
Tempo d'avvio: 0,4µs
Tempo d'interruzione: 0,8µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 200W
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor nte, transistor igbt
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