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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -200V; -8A; 125W; TO3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-NTE2998
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2998
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO3
Tensione drenaggio-fonte: -200V
Corrente di drenaggio: -8A
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±14V
Altri termini di ricerca: transistor nte, transistor di potenza
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