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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 600V; 5,7A; Idm: 36A; 115W; TO220
N. Articolo:
     5068-NTE2995
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2995
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220
Tensione drenaggio-fonte: 600V
Corrente di drenaggio: 5,7A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,65Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 115W
Polarizzazione: unipolare
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±30V
Corrente di drain pulsata: 36A
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