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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W; TO251


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W; TO251
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 100V; 4,9A; Idm: 31A; 42W; TO251
N. Articolo:
     5068-NTE2981
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2981
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO251
Tensione drenaggio-fonte: 100V
Corrente di drenaggio: 4,9A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,38Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 42W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±10V
Corrente di drain pulsata: 31A
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