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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -60V; -20A; Idm: -80A; 25W; TO220F
N. Articolo:
     5068-NTE2919
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2919
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220F
Tensione drenaggio-fonte: -60V
Corrente di drenaggio: -20A
Resistenza nello stato di conduzione: 92mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 25W
Polarizzazione: unipolare
Proprieta degli elementi semiconduttori: ESD protected gate
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -80A
Altri termini di ricerca: transistor nte, transistor di potenza
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