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Transistor: P-MOSFET; unipolare; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W
Transistor: P-MOSFET; unipolare; -200V; -7,5A; Idm: -48A; 150W
N. Articolo:
     5068-NTE2905
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2905
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione drenaggio-fonte: -200V
Corrente di drenaggio: -7,5A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,5Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 150W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: -48A
Altri termini di ricerca: transistor nte, transistor di potenza
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