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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 1kV; 2A; Idm: 12A; 125W; TO220
N. Articolo:
     5068-NTE2399
Produttore:
     NTE Electronics
N. Art. Produtt.:
     NTE2399
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: NTE Electronics
Montaggio: THT
Corpo: TO220
Tensione drenaggio-fonte: 1kV
Corrente di drenaggio: 2A
Resistenza nello stato di conduzione: 5Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 125W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 12A
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