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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 700V; 99A; Idm: 350A; 455W
N. Articolo:
     5068-MSC015SMA070B4
Produttore:
     MICROCHIP (MICROSEMI)
N. Art. Produtt.:
     MSC015SMA070B4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: MICROCHIP (MICROSEMI)
Montaggio: THT
Corpo: TO247-4
Tensione drenaggio-fonte: 700V
Corrente di drenaggio: 99A
Resistenza nello stato di conduzione: 19mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 455W
Polarizzazione: unipolare
Carico della porta: 215nC
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Corrente di drain pulsata: 350A
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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