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Transistor: IGBT x4; BiMOSFET™; 3kV; 22A; 150W; SMPD


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MMIX4B22N300
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MMIX4B22N300
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
SMD transistor
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: SMPD
Tensione collettore-emettitore: 3kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 22A
Corrente del collettore nel impulso: 165A
Tempo d'avvio: 743ns
Tempo d'interruzione: 1,87µs
Tipo del transistor: IGBT x4
Potenza dissipata: 150W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 110nC
Tecnologia: BiMOSFET™
Topologia: ponte ad H
Altri termini di ricerca: Transistor SMD, smd transistor
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