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Modulo: IGBT; transistor/transistor; ponte ad H; Urmax: 1,2kV


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MIXA61H1200ED
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MIXA61H1200ED
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: E2-Pack
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: transistor/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 60A
Corrente del collettore nel impulso: 150A
Applicazione: motori;fotovoltaico
Potenza dissipata: 290W
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: Sonic FRD™;XPT™
Topologia: ponte ad H
Riepilogo condizioni1
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