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Modulo: IGBT; transistor/transistor; ponte ad H; Urmax: 1,2kV


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-MIEB101H1200EH
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     MIEB101H1200EH
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: E3-Pack
Tensione invertita max.: 1,2kV
Struttura del semiconduttore: transistor/transistor
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 128A
Corrente del collettore nel impulso: 200A
Applicazione: motori;fotovoltaico
Potenza dissipata: 630W
Montaggio elettrico: Press-in PCB
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: Sonic FRD™;SPT+
Topologia: ponte ad H
Riepilogo condizioni1
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