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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolare; 1,2kV; 18A; Idm: 60A; 139W
N. Articolo:
     5068-LSIC1MO120E0120
Produttore:
     Littelfuse
N. Art. Produtt.:
     LSIC1MO120E0120
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
MOSFET
fet di giunzione
Produttore: LITTELFUSE
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione drenaggio-fonte: 1,2kV
Corrente di drenaggio: 18A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,12Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 139W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Prezzo unitario: No
Carico della porta: 80nC
#Offerte #promozionali: aac_202202
Tecnologia: SiC
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: -5...20V
Corrente di drain pulsata: 60A
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