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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 1,6W


Quantità:  pezzo  
Informazioni sul prodotto
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 1,6W
Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 30mA; Idm: 0,03A; 1,6W
N. Articolo:
     5068-LND150N8-G
Produttore:
     Microchip Technology
N. Art. Produtt.:
     LND150N8-G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Relè di alta potenza
Relè alto rendimiento
FET di giunzione
Transistor
Produttore: MICROCHIP TECHNOLOGY
Montaggio: SMD
Corpo: SOT89-3
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 30mA
Resistenza nello stato di conduzione: 1kΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 1,6W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: nastro;bobina
Genere di canale: impoverito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 0,03A
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Condizioni di restituzione per questo articolo: Magazzino 5068
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