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Transistor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV
Transistor: IGBT; XPT™; 4,5kV; 40A; 660W; TO247HV
N. Articolo:
     5068-IXYX40N450HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYX40N450HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247HV
Tensione collettore-emettitore: 4,5kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 40A
Corrente del collettore nel impulso: 350A
Tempo d'avvio: 786ns
Tempo d'interruzione: 1128ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 660W
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: alta tensione
Carico della porta: 170nC
Tecnologia: XPT™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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