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Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO268
N. Articolo:
     5068-IXYT80N90C3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYT80N90C3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268
Tensione collettore-emettitore: 900V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 80A
Corrente del collettore nel impulso: 360A
Tempo d'avvio: 134ns
Tempo d'interruzione: 201ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 830W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 145nC
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
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