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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXYT30N65C3H1HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYT30N65C3H1HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
SMD transistor
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268HV
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 30A
Corrente del collettore nel impulso: 118A
Tempo d'avvio: 59ns
Tempo d'interruzione: 0,12µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 270W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 44nC
Tecnologia: Planar;Sonic FRD™;GenX3™;XPT™
Altri termini di ricerca: Transistor SMD, smd transistor
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