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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 17A; 230W; TO268HV


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 17A; 230W; TO268HV
Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 17A; 230W; TO268HV
N. Articolo:
     5068-IXYT20N120C3D1HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYT20N120C3D1HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO268HV
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 17A
Corrente del collettore nel impulso: 88A
Tempo d'avvio: 60ns
Tempo d'interruzione: 0,22µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 230W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 53nC
Tecnologia: GenX3™;XPT™
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