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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 900V; Ic: 70A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-IXYN80N90C3H1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYN80N90C3H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 900V
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 70A
Corrente del collettore nel impulso: 340A
Potenza dissipata: 500W
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: GenX3™;XPT™
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