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Transistor: IGBT; GenX3™; 1,2kV; 21A; 105W; TO247


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXYJ20N120C3D1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYJ20N120C3D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 21A
Corrente del collettore nel impulso: 40A
Tempo d'avvio: 20ns
Tempo d'interruzione: 90ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 105W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 53nC
Tecnologia: GenX3™;XPT™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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