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Transistor: IGBT; GenX4™; 1,2kV; 75A; 1,15kW; TO247,TO247-3


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXYH75N120B4
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYH75N120B4
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
transistor igbt
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247;TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 1,2kV
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 75A
Corrente del collettore nel impulso: 150A
Tempo d'avvio: 24ns
Tempo d'interruzione: 235ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 1,15kW
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 157nC
Tecnologia: XPT™;GenX4™
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