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Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO263
N. Articolo:
     5068-IXYA8N90C3D1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYA8N90C3D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263
Tensione collettore-emettitore: 900V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 8A
Corrente del collettore nel impulso: 48A
Tempo d'avvio: 39ns
Tempo d'interruzione: 238ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 125W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 13,3nC
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
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