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Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 50A; 600W; TO263-2
N. Articolo:
     5068-IXYA50N65C3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXYA50N65C3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO263-2
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 50A
Corrente del collettore nel impulso: 250A
Tempo d'avvio: 56ns
Tempo d'interruzione: 145ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 600W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 86nC
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
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