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Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 70A; 455W; PLUS247™
N. Articolo:
     5068-IXXR110N65B4H1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXR110N65B4H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 70A
Corrente del collettore nel impulso: 490A
Tempo d'avvio: 65ns
Tempo d'interruzione: 250ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 455W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 183nC
Tecnologia: Trench;XPT™;GenX4™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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