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Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 12A; 160W; TO220-3
N. Articolo:
     5068-IXXP12N65B4D1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXP12N65B4D1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO220-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 12A
Corrente del collettore nel impulso: 70A
Tempo d'avvio: 44ns
Tempo d'interruzione: 245ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 160W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 34nC
Tecnologia: Trench;XPT™;GenX4™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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