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Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B


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Informazioni sul prodotto
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
Modulo: IGBT; transistor singolo; Urmax: 650V; Ic: 110A; SOT227B
N. Articolo:
     5068-IXXN110N65B4H1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXN110N65B4H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
FET di giunzione
Transistor
Produttore: IXYS
Corpo: SOT227B
Tensione invertita max.: 650V
Struttura del semiconduttore: transistor singolo
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 110A
Corrente del collettore nel impulso: 650A
Potenza dissipata: 750W
Montaggio elettrico: avvitabile
Montaggio meccanico: avvitabile
Tipo di modulo: IGBT
Tecnologia: XPT™;GenX4™
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