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Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
Transistor: IGBT; GenX4™; 650V; 60A; 536W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-IXXH60N65B4H1
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXH60N65B4H1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 650V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 60A
Corrente del collettore nel impulso: 265A
Tempo d'avvio: 94ns
Tempo d'interruzione: 208ns
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 536W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 86nC
Tecnologia: Trench;XPT™;GenX4™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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