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Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3


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Informazioni sul prodotto
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 100A; 830W; TO247-3
N. Articolo:
     5068-IXXH100N60C3
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXXH100N60C3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247-3
Tensione collettore-emettitore: 600V
Tensione porta - emettitore: ±20V
Corrente del collettore: 100A
Corrente del collettore nel impulso: 380A
Tempo d'avvio: 95s
Tempo d'interruzione: 0,22µs
Tipo del transistor: IGBT
Potenza dissipata: 830W
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 150nC
Tecnologia: Planar;GenX3™;XPT™
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt
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