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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 55V; 550A; 600W; DE475; 100ns


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXTZ550N055T2
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTZ550N055T2
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: DE475
Tempo di prontitudine: 100ns
Tensione drenaggio-fonte: 55V
Corrente di drenaggio: 550A
Resistenza nello stato di conduzione: 1mΩ
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 600W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: thrench gate power mosfet
Carico della porta: 595nC
Genere di canale: arricchito
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