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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -26A; 150W; TO252


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -26A; 150W; TO252
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -100V; -26A; 150W; TO252
N. Articolo:
     5068-IXTY26P10T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTY26P10T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tempo di prontitudine: 70ns
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -26A
Resistenza nello stato di conduzione: 90mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 150W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 52nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Riepilogo condizioni1
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