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Transistor: N-MOSFET; unipolare; 500V; 200mA; Idm: 800mA; 25W; TO252


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXTY02N50D
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTY02N50D
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: SMD
Corpo: TO252
Tempo di prontitudine: 1µs
Tensione drenaggio-fonte: 500V
Corrente di drenaggio: 0,2A
Resistenza nello stato di conduzione: 30Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 25W
Polarizzazione: unipolare
Genere di canale: impoverito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Corrente di drain pulsata: 0,8A
Riepilogo condizioni1
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