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Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolare; 2kV; 6A; 960W; 520ns


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     5068-IXTX6N200P3HV
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTX6N200P3HV
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: TO247PLUS-HV
Tempo di prontitudine: 520ns
Tensione drenaggio-fonte: 2kV
Corrente di drenaggio: 6A
Resistenza nello stato di conduzione: 4Ω
Tipo del transistor: N-MOSFET
Potenza dissipata: 960W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Proprieta degli elementi semiconduttori: standard power mosfet
Carico della porta: 143nC
Tecnologia: Polar3™
Genere di canale: arricchito
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor di potenza
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