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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -120A; 1040W


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -120A; 1040W
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -120A; 1040W
N. Articolo:
     5068-IXTX120P20T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTX120P20T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: PLUS247™
Tempo di prontitudine: 300ns
Tensione drenaggio-fonte: -200V
Corrente di drenaggio: -120A
Resistenza nello stato di conduzione: 30mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 1,04kW
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 740nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
Riepilogo condizioni1
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