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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -57A; 190W; 144ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -57A; 190W; 144ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -100V; -57A; 190W; 144ns
N. Articolo:
     5068-IXTR90P10P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTR90P10P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS247™
Tempo di prontitudine: 144ns
Tensione drenaggio-fonte: -100V
Corrente di drenaggio: -57A
Resistenza nello stato di conduzione: 27mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 190W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 0,12µC
Tecnologia: PolarP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
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