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Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -600V; -10A; 190W; 440ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -600V; -10A; 190W; 440ns
Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolare; -600V; -10A; 190W; 440ns
N. Articolo:
     5068-IXTR16P60P
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTR16P60P
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS247™
Tempo di prontitudine: 440ns
Tensione drenaggio-fonte: -600V
Corrente di drenaggio: -10A
Resistenza nello stato di conduzione: 0,79Ω
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 190W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 92nC
Tecnologia: PolarP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±20V
Altri termini di ricerca: transistor di potenza
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