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Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -90A; 595W; 300ns


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Informazioni sul prodotto
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -90A; 595W; 300ns
Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolare; -200V; -90A; 595W; 300ns
N. Articolo:
     5068-IXTR120P20T
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTR120P20T
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
transistor di potenza
Produttore: IXYS
Montaggio: THT
Corpo: ISOPLUS247™
Tempo di prontitudine: 300ns
Tensione drenaggio-fonte: -200V
Corrente di drenaggio: -90A
Resistenza nello stato di conduzione: 32mΩ
Tipo del transistor: P-MOSFET
Potenza dissipata: 595W
Polarizzazione: unipolare
Genere di confezione: tubo
Carico della porta: 740nC
Tecnologia: TrenchP™
Genere di canale: arricchito
Tensione porta-sorgente: ±15V
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